飛行時間二次離子質譜-材料表征

飛行時間二次離子質譜-材料表征

飛行時間二次離子質譜（11TOF-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術。可以廣泛應用于物理，化學，微電子，生物，制藥，空間分析等工業和研究方面。TOF-SIMS可以提供表面，薄膜，界面以至于三維樣品的元素，分子等結構信息。

飛行時間二次離子質譜-材料表征

技術參數：
. 并行探測所有離子，包括有機和無機分子碎片。
. 無限的質量探測范圍（實際測量中大于1000m/z 原子量單位）。
. *透過率下實現高的質量分辨率。
. *的橫向和縱向空間分辨率（橫向小于100納米，縱向小于1納米）。
. 探測靈敏度可達ppm或ppb量級。
. 質量探測分辨率(M/ΔM) >1000
. 質量探測準確度 ≥20 milli 質量單位
. 反射性分析器
. 5 分鐘樣品腔真空度可從大氣環境達到真空工作環境

主要特點：
.  超高的表面靈敏度(1x109 atoms/cm2)
·  操作簡單(? day training)
· 1 分鐘分析，樣品處理流程<7分鐘
· 導體和絕緣體表面均可測試
· 可得到元素和分子信息
· 從元素中分離出普通有機物
· 正電和負電的 二次離子質譜
· 同位素分析
· 分析面積 ~0.5 mm
·  濺射預清洗表面
· 提供材料數據庫