激光直寫無掩膜光刻機

激光直寫無掩膜光刻機
美國AMP（Advanced Micro Patterning, LLC）公司憑借多年的光刻設備生產經驗和多項無掩模曝光技術，已成為無掩模紫外光刻領域的。國內參考用戶較多！

激光直寫無掩膜光刻機產品優點：
微米和亞微米光刻,最小0.6微米光刻精度
紫外光直寫曝光,無需掩模，大幅節約了掩模加工費用
靈活性高，可直接通過電腦設計光刻圖形，并可根據設計要求隨意調整。
可升級開放性系統設計。
按照客戶要求自由配置
使用維護簡單, 設備耗材價格低。
應用范圍廣，目前廣泛應用于半導體、生物芯片、微機電系統、傳感器、微化學、光學等領域。
曝光鏡頭
•   光源:200W汞燈.
•   光源壽命:>1000小時.
•   涵蓋了汞燈的波段，范圍寬， >510nm 下對準
襯底光照波長：
365nm+/-5 nm
405 nm+/-5nm
435nm+/-5 nm
•   波段曝光模式，可以在波段350–550nm范圍內進行單次曝光.
•   像素大小Pixel Sizes included with system
1.25微米， 4X 物鏡， (5 um 最小線寬)
0.25微米， 20X 物鏡， (1 um 最小線寬)
•   256級灰度識別
•   4X物鏡可以在曲面構建1mm 深的結構， 而不用移動鏡頭和樣品臺
•   一體化的光學過濾器可以在曝光過程中保持工作.
•   可以使用掩膜板和無掩膜兩種工作模式.
•   可以實現整個XY軸樣品臺移動范圍內的大尺寸圖形曝光.
•   單一在線式相機可以觀測樣品并聚焦樣品。.
•   多像素曝光可以提供大于750000個像素處理，在一次靜態曝光中.

一體化硬件和軟件功能
•   C語言基礎上的軟件，使用方便，修改以及和其它系統整合容易.
•   全自動聚焦
•   鏡頭和樣品臺在視場內校準。
•   管理員可控制使用者權限
•   程序可存儲及調用
•   全自動面與面之間的對準，自動找平
•   遠程網絡診斷
•   微軟Windows程序的個人電腦，集成與系統中.

全自動樣品臺
•  適合60mm方片襯底.
•  曝光面積60mmx 60mm，在此面積內適合所有像素尺寸.
•  線性位移平臺
•  X軸和 Y軸移動
•  總移動范圍: 60mm
•  準確性:+/-1微米，在每個軸的位移總長
•  重復性: +/-150nm ，每個軸
•  精度:5nm，每個軸
•  Z 軸移動
•  總移動范圍:5mm
•  準確性:+/- 0.5微米
•  重復性: +/-250nm
•  旋轉角度移動
•  總移動范圍: 135度
•  準確性:+/-5 arcsec
•  重復性: +/-2 arc sec
•  4軸控制器，并開發數字界面.
•  通用的真空吸附樣品臺，支持方片襯底

CCD相機
•  1/2"步進掃描式CCD
•  感應區域:6.4mmx4.8mm
•  1392x 1024像素陣列
•  像素大小：4.65微米x4.65微米
•  IEEE1394 視頻輸出
•  保證*兼容NI Windows軟件