離子束刻蝕設(shè)備

離子束刻蝕設(shè)備

儀器應(yīng)用：
離子拋光
離子清洗
等離子體灰化
等離子體氧化、氮化
表面改性
反應(yīng)刻蝕
生物醫(yī)藥
傳感器

離子束刻蝕設(shè)備技術(shù)參數(shù)：
1，真空系統(tǒng)：
尺寸： 72英寸X 50英寸
真空泵：分子泵+機(jī)械泵
本底真空：1X10E-7Torr
2， 樣品臺(tái)：
樣品大?。?50mm
處理角度：0-180度
旋轉(zhuǎn)速度：0-20RPM
冷卻：水冷
3， 離子源
孔徑：22厘米
柵格：2個(gè)，鉬材質(zhì)
激發(fā)：RF射頻
電性中和：PBN
束流： 200-1000V， 0-1000mA
工作氣體：Ar,Xe,N2,O2,CF4,SF6,CH4,C2H6
SIMS終點(diǎn)監(jiān)測

主要特點(diǎn)：
RF or DC 離子源， 8-22厘米Gridded Kaufman離子源
單片樣品傳輸腔
高效率高產(chǎn)量，低能量等離子體源
最大直徑至150毫米樣品表面處理
<3% 非均勻性
水冷，傾斜，旋轉(zhuǎn)
操作簡便，小型設(shè)備，皮實(shí)耐用
SIMS終點(diǎn)監(jiān)測
全部電腦操作
反應(yīng)離子刻蝕
單片樣品臺(tái)/三片行星式旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)