電子束蒸發鍍膜系統

電子束蒸發鍍膜系統

儀器簡介：

全球專業的沉積設備制造商，為各個領域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發系統、熱蒸發系統、超高真空蒸發系統、分子束外延MBE、有機分子束沉積OMBD、等離子增強化學氣相淀積系統PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等；


E -Beam Evaporation System
2.高真空統High Vacuum E -Beam Evaporation System
3.超高真空Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System
4.離子輔助蒸發系統Ion Beam Assisted Evaporation System
5.離子電鍍系統Ion Plating System
6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System
7.在線電子束蒸發系統In-line E -Beam Evaporation System

電子束蒸發鍍膜系統技術參數：

1.電子束源&電源
     單個或者可自由切換換電子束源：
      --蒸發室數量 1 ~ 12(標配: 4, 6)
      --坩堝容量：7 ~ 40 cc (最大可達200 cc)
      --標準：25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket)
      --最大：200 cc (156cc for UHV) 可用于長時間的沉積
      --偏轉角度：180o, 270o
      --輸出功率：6, 10, 15, 20 kW
      --支持兩個或者三個電子束源在一個系統上
      --可連續或者同時沉積兩種或三種材料
      --高速率沉積

   2.薄膜沉積控制：
     IC-5 ( or XTC, XTM) 和計算機控制
     --沉積過程參數可控
     --石英晶體振蕩傳感器
     --光學檢測系統用于光學多層薄膜沉積：測量波長范圍350-2000 nm，分辨率1 nm
     --薄膜厚度檢測和處理過程可通過計算機程序控制
     --薄膜厚度檢測和沉積速率可通過計算機程序控制
     --支持大面積沉積
     --支持在線電子束蒸發沉積
     --基底尺寸：20~100英寸
     --薄膜均勻性 <±1.0 to 5.0 %

   3.真空腔體：
     --圓柱形腔體
     --直徑：φ500 ~ 1,500 mm
     --高度：800 ~ 1500 mm
     --方形腔體
     --根據客戶的需求定制

   4.真空泵和測量裝置：
     --低真空：干泵和convectron真空規
     --高真空：渦輪分子泵，低溫泵和離子規
     --超高真空：雙級渦輪分子泵，離子泵和離子規

   5.控制系統PLC和 觸摸屏計算機：
     --硬件: PLC, 觸摸屏計算機
     --包括模擬和數字輸入/輸出卡
     --顯示器: LCD
     --自動和手動程序控制
     --程序控制：加載，編輯和保存
     --程序激活控制：
     --泵抽真空，蒸發沉積，加熱， 旋轉等
     --膜厚度檢測和控制多層薄膜沉積
     --系統狀態，數據加載等
     --問題解答和聯動狀態

擴展功能：

1、質量流量控制器：反應和等離子體輔助惰性氣體控制
   2、離子源和控制器：等離子體輔助沉積
   3、射頻電源：基底預先處理
   4、溫度控制器：基底加熱
   5、熱蒸發器：1 or 2 boat
   6、蒸鍍源cell：1 or 2 for doping
   7、冷卻器：系統冷卻