磁控濺射鍍膜儀的工作原理介紹

　　磁控濺射鍍膜儀主要用于在真空條件下，利用濺射原理在基體表面沉積薄膜，以制備金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷、介質復合膜及其它化學反應膜等。這種設備廣泛應用于電子、光電、光學、醫療等行業，用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜及合金膜，可鍍制磁性材料和非磁性材料。
 

　　磁控濺射鍍膜儀的工作原理基于濺射現象。通常將欲沉積的材料制成板材靶，固定在陰極上，基片置于正對靶面的陽極上，距靶一定距離。系統抽至高真空后充入一定壓強的氣體(通常為氬氣)，在陰極和陽極間加幾千伏電壓，兩極間即產生輝光放電。放電產生的正離子在電場作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子，這些濺射原子在基片表面沉積成膜。
 

　　在磁控濺射過程中，電子在電場和磁場的作用下，產生E×B漂移(電場與磁場交互作用產生的漂移)，其運動軌跡近似于一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，并且在該區域中電離出大量的Ar正離子來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。